集微網(wǎng)消息，據(jù)外媒報(bào)道，知名化合物半導(dǎo)體廠商高意公司（Coherent，原II-VI）宣布和三菱電機(jī)簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，以合作開展一項(xiàng)計(jì)劃，在200毫米技術(shù)平臺(tái)上擴(kuò)大SiC電力電子產(chǎn)品的制造規(guī)模。

為了滿足對(duì)SiC芯片快速增長(zhǎng)的需求，三菱電機(jī)宣布將在截至2026年3月的五年期間投資約18億美元美元。投資的主要部分，約為7.11億美元（1000億日元），將用于建設(shè)基于200毫米技術(shù)平臺(tái)的SiC功率器件新工廠，根據(jù)諒解備忘錄，高意公司將為三菱電機(jī)未來(lái)在新工廠生產(chǎn)的碳化硅功率器件開發(fā)200毫米4H-N碳化硅襯底。

高意代表Sohail Khan表示：“我們很高興與三菱電機(jī)建立合作關(guān)系，三菱電機(jī)是碳化硅功率器件的先驅(qū)，也是高速列車碳化硅功率模塊的全球市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，包括日本著名的新干線，我們?cè)谙蛉怆姍C(jī)供應(yīng)SiC襯底方面有著悠久的歷史，并期待擴(kuò)大與他們的關(guān)系，以擴(kuò)展他們新的200毫米SiC平臺(tái)。”

三菱電機(jī)半導(dǎo)體與器件集團(tuán)執(zhí)行官M(fèi)asayoshi Takemi表示：“多年來(lái)，高意公司一直是三菱電機(jī)高質(zhì)量150毫米SiC晶圓襯底的可靠供應(yīng)商，我們很高興與高意公司建立這種密切的合作伙伴關(guān)系，將我們各自的SiC制造平臺(tái)擴(kuò)展到200毫米。”