【產(chǎn)品特點(diǎn)】 
?單芯片雙極性正弦微步步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
? **BiCD 0.13 nm工藝
?高達(dá)50V耐壓
?導(dǎo)通電阻（上+下） = 0.4 Ω
?正向和反向旋轉(zhuǎn)控制
?5種細(xì)分模式可選（1/1 ，1/2 ，1/4 ，1/8 ， 1/16步）
?輸出電流： IOUT = 5.0A（峰值，在100ms內(nèi) ）
?額定輸出：IOUT = 4.5 A
?封裝： HZIP25 - 1.00F
?輸入口內(nèi)置下拉電阻： 100 KΩ
?輸出報(bào)警管腳電流 ：Ialert = 1mA
?輸出監(jiān)視管腳（ MO ）：Imo= 1mA
?帶有復(fù)位和使能引腳
?帶有待機(jī)功能。
?突破傳統(tǒng)的單電源供電
?內(nèi)置過(guò)熱保護(hù)（ TSD ）電路
?內(nèi)置的欠壓保護(hù)（UVLO）電路

?內(nèi)置過(guò)電流檢測(cè)（ ISD），電路

TB6600HQ/HG輸出電流設(shè)定和保護(hù)恢復(fù)模式選擇：
TB6600HQ/HG輸出電流的設(shè)定方式：
TB6600輸出**大電流大小由Vref(pin5)和采樣電阻(Rnf)決定，其公式如下：
Io = (1/3 × Vref) ÷ RNF
即：輸出電流=Vref(參考電壓)÷3÷采樣電阻
如：Vref=3V，Rnf=0.4Ω，則Io=2.5A
注意：平均電流低于理論計(jì)算值，因?yàn)椴竭M(jìn)系統(tǒng)標(biāo)稱的電流值為峰值
RNF(采樣電阻)應(yīng)≥0.2Ω。
過(guò)熱保護(hù)和過(guò)流保護(hù)恢復(fù)模式選擇：
L：閉鎖模式---即遇到過(guò)熱或過(guò)流情況，芯片進(jìn)入保護(hù)模式，關(guān)斷輸出。建議使用此模式
H：自恢復(fù)模式---即遇到過(guò)熱或過(guò)流情況，芯片保護(hù)并自動(dòng)恢復(fù)，如錯(cuò)誤狀態(tài)一直存在，則芯片循環(huán)于保護(hù)-恢復(fù)兩種狀態(tài)，請(qǐng)盡量避免使用此模式